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世界看热讯:天科合达发布 8 英寸碳化硅衬底新产品,明年导电型将小规模量产


(相关资料图)

IT之家 12 月 2 日消息,北京天科合达半导体近期发布了“8 英寸导电型碳化硅衬底”新产品。该公司介绍了“8 英寸导电型碳化硅衬底”新产品各项关键技术参数指标,并宣布将于 2023 年实现 8 英寸导电型碳化硅衬底小规模量产。

IT之家了解到,2021 年徐州天科合达生产基地 6 英寸系列产品产能达全国首位,目前北京大兴总部基地 6 英寸产能正持续突破。

天科合达是国内碳化硅衬底领域龙头企业,一直持续突破更大尺寸、更高质量碳化硅衬底制备的关键核心技术。

各项指标公布如下:

(1)8 英寸碳化硅晶体 (直径可达 209mm) 及晶片外观图

(2)拉曼光谱测试数据表明,8 英寸碳化硅衬底 100% 面积为 4H 晶型

(3)XRD 三点摇摆曲线数据显示,半高宽小于 20 arcsec

(4)位错缺陷密度测试结果显示,EPD<4000 个每平方厘米,TSD<100 个每平方厘米,BPD<200 个每平方厘米,位错密度整体处于国际领先水平

标签: 每平方厘米 总部基地

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