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400 层堆叠 3D NAND 闪存将至,东京电子宣布开发出全新蚀刻技术


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IT之家 6 月 12 日消息,东京电子(TEL)近日宣布,已开发出一种用于存储芯片的通孔蚀刻技术,可用于制造 400 层以上堆叠的 3D NAND 闪存芯片。TEL 表示,该技术首次将电蚀刻应用带入到低温范围中,并创造性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。

▲ 图源 东京电子

具体而言,这项新技术可以在短短 33 分钟内完成 10 微米深度的高纵横比(IT之家备注:纵横比是指晶圆上形成图案的深度与宽度之比)蚀刻,与此前的技术相比耗时大幅缩短。TEL 介绍,该技术的应用不仅有助于制造更高容量的 3D NAND,还能够将生产工艺中给全球变暖造成的风险减少 84%

▲ 图源 东京电子

TEL 预告,研发团队将于 6 月 11 日-16 日在日本京都举行的 2023 年超大规模集成电路技术和工艺研讨会上发布最新成果和报告。

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